南网(h-j)VO2及其异质结的截面透射电子显微镜照片。

深圳设备（f）UV光电探测器和基于sc-SiFs的光电探测器在不同照明模式下的光电流切换响应。（b）分别在3mm，供电告5mm和10mm的不同弯曲半径下计算出的峰值应变与样品厚度的关系图。

获国家自然科学二等奖1项，局程省部级科学技术一等奖3项。控交（b）分别为集成和不集成基于sc-SiFs的TFPDs的IR光电探测器的光电流切换性能。换机插图显示了在对数关系中光电流密度与光强度的线性拟合。

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相关成果以Single-CrystallineSiliconFrameworks:ANewPlatformforTransparentFlexibleOptoelectronics为题发表在国际著名期刊Advanced Materials上，深圳设备苏州大学功能纳米与软物质研究院的揭建胜教授为论文的共同通讯作者。

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